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Samsung 860 EVO M.2 500 Go Série ATA III V-NAND MLC

Samsung 860 EVO M.2 500 Go Série ATA III V-NAND MLC

Référence : MZ-N6E500BW
8801643068691

Samsung 860 EVO, 500 Go, M.2, 550 Mo/s, 6 Gbit/s

67,90 € TTC
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Le SSD fiable par excellence
Découvrez la nouvelle édition de la gamme SSD Samsung SATA, la gamme Samsung 860 EVO. Spécialement conçus pour une utilisation sur PC au quotidien, avec la technologie V-NAND et un contrôleur basé sur un algorithme solide, ces SSD aussi rapides que fiables sont disponibles dans plusieurs formats et capacités.

Une performance améliorée
Le 860 EVO offre les meilleures performances de lecture et d’écriture, même en multitâche. Le 860 EVO peut offrir des vitesses d’écriture jusqu'à 520 Mo/s grâce à la technologie intelligente TurboWrite, et des vitesses de lecture jusqu'à 550 Mo/s.

Une endurance sans concession
Stockez vos informations en tout sécurité et lisez des vidéos 4k et des données 3D en toute simplicité. Avec jusqu’à 8 fois plus de TBW que le précédent 850 EVO, le 860 EVO offre une endurance et une fiabilité supérieures renforcées par une garantie de 5 ans. La dernière technologie V-NAND vous offre jusqu'à 2 400 TBW.

Une compatibilité exceptionnelle
Bénéficiez d'une communication plus rapide et plus fluide avec votre système hôte. L'*algorithme ECC et le nouveau contrôleur MJX génèrent des vitesses plus élevées et améliorent la compatibilité avec Linux.

Samsung 860 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 500 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 550 Mo/s, Vitesse d'écriture: 520 Mo/s, Taux de transfert des données: 6 Gbit/s, composant pour: PC/ordinateur portable
SAMSUNG
MZ-N6E500BW

Fiche technique

Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Température d'opération
0 - 70 °C
Largeur
80,2 mm
Profondeur
22,1 mm
Hauteur
2,38 mm
Poids
8 g
Capacité du Solid State Drive (SSD)
500 Go
Facteur de forme SSD
M.2
Pays d'origine
CN
Consommation (max)
4 W
Interface
Série ATA III
composant pour
PC/ordinateur portable
Taux de transfert des données
6 Gbit/s
Vitesse de lecture
550 Mo/s
Vitesse d'écriture
520 Mo/s
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Manuel d'utilisation
Oui
Type de mémoire
V-NAND MLC
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Le chiffrement matériel
Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
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