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Kingston Technology ValueRAM KVR16LS11/8, 8 Go, 1 x 8 Go, DDR3L, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM
Kingston Technology ValueRAM KVR16LS11/8 module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go DDR3L 1600 MHz
Référence : KVR16LS11/8
0132017928845
Kingston Technology ValueRAM KVR16LS11/8, 8 Go, 1 x 8 Go, DDR3L, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM
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Premier fabricant mondial indépendant de produits mémoire, Kingston Technology fonde sa renommée sur sa capacité à proposer des produits de grande qualité à un prix attractif. Si vous cherchez à optimiser la performance et la productivité de votre système, Kingston ValueRAM s'impose comme la meilleure source de produits mémoire standard. Uniquement constitués de composants de grade A, les modules de mémoire ValueRAM sont garantis à vie.
Kingston Technology ValueRAM KVR16LS11/8. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR3L, Fréquence de la mémoire: 1600 MHz, Support de mémoire: 204-pin SO-DIMM, Latence CAS: 11
Kingston Technology ValueRAM KVR16LS11/8. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR3L, Fréquence de la mémoire: 1600 MHz, Support de mémoire: 204-pin SO-DIMM, Latence CAS: 11
KVR16LS11/8
Fiche technique
- Température d'opération
- 0 - 85 °C
- Largeur
- 67,6 mm
- Hauteur
- 30 mm
- Mémoire interne
- 8 Go
- Type de mémoire interne
- DDR3L
- Fréquence de la mémoire
- 1600 MHz
- Support de mémoire
- 204-pin SO-DIMM
- ECC
- Non
- Pays d'origine
- Taïwan
- composant pour
- Ordinateur portable
- Température hors fonctionnement
- -55 - 100 °C
- Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
- 1 x 8 Go
- Type de mémoire mise en cache
- Unregistered (unbuffered)
- Latence CAS
- 11
- Mémoire de tension
- 1.35,1.5 V
- Configuration de module
- 1G X 64
- Code du système harmonisé
- 84733020
- Mémoire Bus
- 64 bit
- Placage en plomb
- Or
- Organisation des puces
- X8
- Fréquence d'horloge de bus
- 1600 MHz
- Indicateur d'erreurs
- Non
- Disposition de la mémoire
- 1 x 8192 Mo
- Temps du cycle de la ligne (TRC)
- 48,125 ns
- Refresh row cycle time (TRFC)
- 260 ns
- Rayon de temps actif
- 35 ns
