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Samsung MZ-V8P2T0BW disque SSD 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

Samsung MZ-V8P2T0BW disque SSD 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

Référence : MZ-V8P2T0BW
8806090696534

Samsung MZ-V8P2T0BW, 2 To, M.2, 7000 Mo/s

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Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 5100 Mo/s, composant pour: PC/ordinateur portable
SAMSUNG
MZ-V8P2T0BW
11 Produits

Fiche technique

Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Température d'opération
0 - 70 °C
Largeur
80,2 mm
Profondeur
2,38 mm
Hauteur
22,1 mm
Poids
9 g
Capacité du Solid State Drive (SSD)
2 To
Facteur de forme SSD
M.2
Consommation d'énergie (mode veille)
0,035 W
Consommation (max)
7,2 W
Type d'emballage
Boîte
Interface
PCI Express 4.0
NVMe
Oui
composant pour
PC/ordinateur portable
Vitesse de lecture
7000 Mo/s
Vitesse d'écriture
5100 Mo/s
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Consommation d'énergie (moyenne)
6,1 W
Type de mémoire
V-NAND MLC
Lecture aléatoire (4KB)
1000000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
1000000 IOPS
Tension de fonctionnement
3,3 V
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Le chiffrement matériel
Oui
Code du système harmonisé
84717070
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Version NVMe
1.3c
Température maximale de fonctionnement
70 °C
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