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Corsair MP510, 960 Go, M.2, 3480 Mo/s
Corsair MP510 M.2 960 Go PCI Express 3.0 3D TLC NAND NVMe
Référence : CSSD-F960GBMP510B
0840006623069
Corsair MP510, 960 Go, M.2, 3480 Mo/s
79,90 €
TTC
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PERFORMANCES DE STOCKAGE EXCEPTIONNELLES
Le tout nouveau contrôleur de données hautes performances offre jusqu’à 3 480 Mo/s de lecture séquentielle et jusqu’à 3 000 Mo/s d’écriture séquentielle pour des temps de lecture, d’écriture et de réponse ultra-rapides.
INTERFACE M.2 NVME PCIE GEN3 x4 HAUTE VITESSE
Pour une connexion simple et une bande passante maximale.
3D TLC NAND HAUTE DENSITÉ
Offre une combinaison idéale entre performances, endurance et rapport qualité/prix pour permettre à votre SSD de fonctionner au maximum de ses capacités pendant des années.
FORMAT COMPACT M.2 2280
Le format ultra-compact M.2 2280 s’intègre directement dans votre ordinateur portable ou votre carte mère sans câbles ni prises supplémentaires.
Corsair MP510. Capacité du Solid State Drive (SSD): 960 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 3480 Mo/s, Vitesse d'écriture: 3000 Mo/s, composant pour: PC/ordinateur portable
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INTERFACE M.2 NVME PCIE GEN3 x4 HAUTE VITESSE
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3D TLC NAND HAUTE DENSITÉ
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FORMAT COMPACT M.2 2280
Le format ultra-compact M.2 2280 s’intègre directement dans votre ordinateur portable ou votre carte mère sans câbles ni prises supplémentaires.
Corsair MP510. Capacité du Solid State Drive (SSD): 960 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 3480 Mo/s, Vitesse d'écriture: 3000 Mo/s, composant pour: PC/ordinateur portable
CSSD-F960GBMP510B
Fiche technique
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Largeur
- 22 mm
- Profondeur
- 80 mm
- Hauteur
- 3 mm
- Poids
- 55 g
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 960 Go
- Facteur de forme SSD
- M.2
- Pays d'origine
- CN
- Largeur du colis
- 75 mm
- Profondeur du colis
- 11,5 mm
- Hauteur du colis
- 127 mm
- Type d'emballage
- Boîte
- Interface
- PCI Express 3.0
- NVMe
- Oui
- composant pour
- PC/ordinateur portable
- Vitesse de lecture
- 3480 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 3000 Mo/s
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Support TRIM
- Oui
- Temps moyen entre pannes
- 1800000 h
- Classe TBW
- 1700
- Température hors fonctionnement
- -40 - 85 °C
- Type de mémoire
- 3D TLC NAND
- Lecture aléatoire (4KB)
- 610000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB)
- 570000 IOPS
- Consommation électrique (Lecture)
- 6,9 W
- Consommation électrique (Ecriture)
- 5,6 W
- Consommation électrique (idle)
- 0,03 W
- Tension de fonctionnement
- 3,3 V
- Choc durant le fonctionnement
- 1500 G
- Vibrations en fonctionnement
- 20 G
- Flux de données d'interface PCI Express
- x4
- Version NVMe
- 1.3
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
- Oui
