Samsung 990 EVO M.2 1 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

Samsung 990 EVO M.2 1 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

Référence : MZ-V9E1T0BW
8806095300276

Samsung 990 EVO, 1 To, M.2, 5000 Mo/s

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Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
SAMSUNG
MZ-V9E1T0BW
30 Produits

Fiche technique

Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Température d'opération
0 - 70 °C
Largeur
80,2 mm
Profondeur
22,1 mm
Hauteur
2,38 mm
Poids
9 g
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1 To
Facteur de forme SSD
M.2
Type d'emballage
Boîte
Interface
PCI Express 4.0
NVMe
Oui
composant pour
Universel
Vitesse de lecture
5000 Mo/s
Vitesse d'écriture
4200 Mo/s
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Classe TBW
600
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C
Choc hors fonctionnement
1500 G
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95%
Type de mémoire
V-NAND TLC
Consommation électrique (Lecture)
4,9 W
Consommation électrique (Ecriture)
4,5 W
Consommation électrique (idle)
0,06 W
Tension de fonctionnement
3,3 V
Consommation d 'énergie (en mode veille)
0,005 W
Le chiffrement matériel
Oui
Vibrations hors fonctionnement
20 G
Révision CEM PCI Express
4.0
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Version NVMe
2.0
Humidité relative de fonctionnement (H-H)
5 - 95%
Période de garantie
5 année(s)
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
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